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图像传感器，是一种常用的光电探测器件，它能将光子信号转换成电子信号，被广泛地应用在高性能光谱仪、数码相机以及其他的电子光学设备中[1]。普通的CCD、CMOS硅基探测器能获得高量子效率的光谱响应范围在400~900nm波段，在紫外波段，由于多晶硅栅的吸收系数很大，这就意味着紫外光子在极端浅（小于2nm）的表层被吸收，导致其在波长小于400nm的紫外波段量子效率（QE）极低。紫外量子效率低的缺陷限制了前照式硅基探测器在航空业、工业以及制造业等领域中的应用。因此，研制宽波段硅基探测器件使其响应范围延伸到紫外和深紫外波段是国内外紫外探测领域的迫切需要。
技术创新点：
1. 采用在硅基探测器件光敏面上镀制紫外响应增强Lumogen薄膜的方法来制备宽波段硅基探测器件，即增强了响应紫外光灵敏度，又不会减弱可见光的响应。
2. 采用真空热蒸发法制备了不同厚度的Lumogen薄膜，讨论了厚度对Lumogen薄膜的性能参数的影响。
3. 采用Macload膜系设计软件设计一层增透膜，仿真了MgF2/Lumogen复合膜的散射光谱，并采用真空热蒸发的方法制备了MgF2/Lumogen复合膜。
4. 将宽波段CMOS器件应用于紫外指纹检测系统中，研制了一种紫外指纹检测仪。
5. 利用现有的CCD成像评价系统对镀膜后的CCD进行性能测试。

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