成果名称：用CCD或CMOS为光电探测器件的粒度对中测量方法
所属领域：电子信息技术
成果介绍：
本发明公开了一种用ＣＣＤ或ＣＭＯＳ为光电探测器的粒度对中测量方法，方法步骤为：１、采用面阵ＣＣＤ或ＣＭＯＳ作为多元光电探测器，用可调功率激光器，在颗粒粒度测量前，先调低激光器功率，使该低功率激光束聚焦到ＣＣＤ或ＣＭＯＳ上时不发生饱和，记录该激光光斑落在ＣＣＤ或ＣＭＯＳ上的像素位置，以测得光斑的这些像素作为颗粒测量时的散射中心位置；２、调整激光器功率到以信号最强的像素不发生饱和为限的功率，开始测量，记录下颗粒散射光能的分布；３、再以初始确定的散射中心位置为基础，由光散射理论计算得到颗粒的粒度分布。本发明克服了现有激光粒度仪对中复杂和采用ＣＣＤ或ＣＭＯＳ作为光电探测器时像素易饱和或损坏的缺点，取消了硬件的对中装置，不需要调整同心，能进行颗粒粒度测量。
研究团队介绍：
蔡小舒，苏明旭
